纳秒级写入、超万亿次擦写!中国公司实现SOT
发布时间:2024-12-27 19:25:42 作者:玩站小弟 我要评论
12月26日消息,据媒体报道,在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上,来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM自旋轨道矩磁性随机存取存储器)技术进展,解决了该技术在大规
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12月26日消息,纳秒据媒体报道,入超在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上,次擦来自中国的写中现浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)技术进展,解决了该技术在大规模生产中面临的司实主要挑战。
驰拓科技首次提出了适合大规模制造的纳秒无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构,显著降低了SOT-MRAM工艺流程的入超复杂性和难度,并从原理上提升了器件良率。次擦
该结构的写中现创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间,并允许过刻蚀,司实从而大幅度增加了刻蚀窗口,纳秒降低了刻蚀过程的入超难度。
这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的次擦位元良率从99.6%提升至超过99.9%,达到了大规模制造的写中现要求。
同时,司实该器件实现了2纳秒的写入速度,超过1万亿次的写入/擦除操作次数(测量时间上限),并且具备持续微缩的潜力。
传统方案
驰拓科技创新方案
据了解,SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次擦写次数,是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术,有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。
不过SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性,特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低,严重制约了其大规模生产与应用。
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